YZPST-MJE2955T
TRANSISTORS DE PUISSANCE AU SILICIUM PNP MJE2955T
Le MJE2955T est un transistor PNP, complémentaire au MJE3055T et est utilisé dans les circuits d'amplification de puissance audio et de conversion de puissance.
Forme du boîtier : TO-220
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Symbole |
Paramètre |
Valeur |
Unité |
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V CBO |
Tension collecteur-base |
-70 |
V |
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V PDG |
Tension collecteur-émetteur |
-60 |
V |
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V EBO |
Tension émetteur-base |
-5 |
V |
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I C |
Courant collecteur continu |
-10 |
A |
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P TOT |
Dissipation totale à T boîtier =25 ℃ |
75 |
W |
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T j |
Température de jonction |
150 |
℃ |
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T stg |
Plage de température de stockage |
-55-150 |
℃ |
• CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25°C, sauf indication contraire spécifiée)
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Symbole |
Paramètre |
Condition de test |
Valeur |
Unité |
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Min |
Type |
Max |
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V CBO |
Tension de claquage collecteur-base |
I C = -10mA |
-70 |
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V |
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V PDG |
Tension de claquage collecteur-émetteur |
I C = -200mA |
-60 |
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|
V |
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V EBO |
Tension de claquage émetteur-base |
I E = -10mA |
- 5 |
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V |
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I CBO |
Courant de coupure du collecteur |
V CB = -70V |
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1 |
mA |
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I EBO |
Courant de coupure de l'émetteur |
V EB = -5V |
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5 |
mA |
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h FE |
Gain de Courant CC |
I C = -4A,V CE = -4V |
20 |
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100 |
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V CE(sat) |
Tension de claquage collecteur-base |
I C = -4A,I B = -0.4A |
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-1.1 |
V |
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V BE(sat) |
Tension de saturation base-émetteur |
I C = -4A,I B = -4A |
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-1.8 |
V |
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f T |
Fréquence de transition |
V CE =10V, IC=0.5A uff0c f=1MHZ |
2 |
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MHZ |
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a uff1a Test d'impulsion uff0c tp 300us uff0c δ≤2% |
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PACKAGE MÉCANIQUE DONNÉES
