YZPST-2SA940
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Fermeture à glissière Pulls athlétiques 1/5 zip pour hommes. Tissu extensible, léger, séchant rapidement pour des performances supérieures. COUPE REGULIERE - Tailles standard américaines. Une coupe athlétique qui épouse le corps pour une grande liberté de mouvement, conçue pour des performances optimales et un confort toute la journée. CARACTÉRISTIQUES - Fermeture à quart de zip; Trou pour le pouce sur les manches longues pour les maintenir en place pendant l'entraînement
Description du produit

Transistor de type PNP 2SA940

DESCRIPTION :
Le 2SA940 est un transistor de type PNP, utilisé comme tube de commutation de puissance pour les ballasts électroniques et les lampes économes en énergie. Il présente des caractéristiques de faible perte de commutation, une fiabilité élevée, de bonnes caractéristiques à haute température, une vitesse de commutation adaptée, une tension de claquage élevée, une faible fuite inverse, etc.
YZPST-2SA940-1


CARACTÉRISTIQUES MAXIMALES ABSOLUES

Symbole

Paramètre

Valeur

Unité

V CBO

Tension collecteur-base

-150

V

V CEO

Tension collecteur-émetteur

-150

V

V EBO

Tension émetteur-base

-5

V

I C

Courant collecteur continu

-1.5

A

P TOT

Dissipation totale à T cas =25 ℃

25

W

T j

Température de jonction

150

C

T stg

Stora -1.5 Plage de température de stockage

-55 150

C

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25 C, sauf indication contraire)

Symbole

Paramètre

Condition de test

Valeur

Unité

Min

Type

Max

V (BR)CBO

Tension de claquage collecteur-base

I C =-1mA

-150

V

V (BR)CEO

Tension de claquage collecteur-émetteur

I C =-1mA

-150

V

V (BR)EBO

Tension de claquage émetteur-base

I E =-1mA

- 5

V

I CBO

Courant de coupure du collecteur

V CB =-150V, I E =0

-5

μA

I CEO

Courant de coupure du collecteur

V CE =-150V, I C =0

-5

μA

I EBO

Courant de coupure de l'émetteur

V EB =-5V, I C =0

-5

μA

h FE

Gain de courant CC

V CE =-10V, I C =-0.5A

40

140

V CE(sat)

Tension de claquage collecteur-base

I C =-0.5A, I B =-50mA

-0.85

V

V BE(sat)

Tension de saturation base-émetteur

I C =-0.5A, I B =-50mA

-1.5

V

a : tp \[moins ou égal] 300 μ s, δ≤ 2%

DONNÉES MÉCANIQUES DE L'EMBALLAGE

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