YZPST-13005D
TRANSISTORS DE PUISSANCE AU SILICIUM NPN 13005D
DESCRIPTION :
Le 13005D est un transistor NPN utilisé dans les ballasts électroniques et les lampes à économie d'énergie électroniques. Il présente les caractéristiques de faible perte de commutation, haute fiabilité, bonnes caractéristiques à haute température, vitesse de commutation appropriée, tension de claquage élevée et faible fuite inverse.
MAXIMUM ABSOLU DES NOTATIONS
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Symbole |
Paramètre |
Valeur |
Unité |
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|
V CBO |
Tension collecteur-base |
700 |
V |
|
|
V CEO |
Tension collecteur-émetteur |
400 |
V |
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|
V EBO |
Tension émetteur-base |
9 |
V |
|
|
I C |
Courant collecteur continu |
3 |
A |
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|
Icm |
Courant d'impulsion du collecteur uff08 Tp uff1c 5ms uff09 |
6 |
A |
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P TOT |
Dissipation totale à Tcase=25 ℃ |
TO-126SD |
50 |
W |
|
TO-220 |
75 |
|||
|
T j |
Température de jonction |
150 |
℃ |
|
|
T stg |
Plage de température de stockage |
-55 — 150 |
℃ |
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• CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (TC = 25°C, sauf indication contraire)
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Symbole |
Paramètre |
Condition de test |
Valeur |
Unité |
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Min |
Type |
Max |
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I CBO |
Courant de coupure du collecteur |
V CB = 700 V uff0c I E = 0 |
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|
0.1 |
mA |
|
I CEO |
Courant de coupure de base |
V CE = 400 V uff0c Ic = 0 |
|
|
0.1 |
mA |
|
I EBO |
Courant de coupure d'émetteur |
V EB = 9 V uff0c I C = 0 |
|
|
0.1 |
mA |
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V CBO |
Tension de claquage collecteur-base |
I C = 0.1mA |
700 |
|
|
V |
|
V CEO |
Tension de claquage collecteur-émetteur |
I C = 0.1mA |
400 |
|
|
V |
|
V EBO |
Tension de claquage émetteur-base |
I B = 0.1mA |
9 |
|
|
V |
|
h FE |
Gain de courant continu |
I C = 0.5A,V CE = 5V |
15 |
|
35 |
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un V CE sat |
Tension de claquage collecteur-base |
I C = 2A,I B = 0.5A |
|
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1 |
V |
|
un V BE sat |
Tension de saturation base-émetteur |
I C = 2A,I B = 0.5A |
|
|
1.5 |
V |
|
ts |
Temps de stockage |
UI9600 uff0c Ic=0.5A |
2 |
|
7 |
us |
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f T |
Fréquence de transition |
V CE =10V uff0c I C =0.2A F=1MHz |
5 |
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|
MHz |
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un uff1a Test d'impulsion uff0c tp ≤ 300μs , δ≤ 2% |
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● DONNÉES MÉCANIQUES DU BOÎTIER
